09 сентября 2010 Г. Нанотехнологии и наноматериалы Российские нанотехнологии STRF.RU регистрация вход

   
Журнал «В мире нано» № 1 / 2009 год
Главная / Новости и События / Все новости
Редколлегия
Контакты
Размещение рекламы
Партнёры
форум
В мире НАНО
Анонсы

Стань соискателем мечты!


Проголосуй на www.dreamemployers.ru и войди в топ-50 соискателей, которых увидят все крупнейшие компании России!

читать полностью читать полностью

Наноматериалы-2010


C 27 сентября по 2 октября 2010 г. на базе Рязанского государственного радиотехнического университета будет проводиться III Всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов, молодых ученых и специалистов (в возрасте до 35 лет включительно)

читать полностью читать полностью

Московский международный салон инноваций и инвестиций


Пройдет 7-10 сентября 2010 года в Москве. Это крупнейший в России и уникальный научно-технический форум изобретателей, разработчиков и производителей высокотехнологичной продукции, инвестиционных проектов в научно-технологической сфере и промышленности.

читать полностью читать полностью

Nanotechoilgas-2010


С 21 по 22 октября 2010 года в Центре Международной торговли (ЦМТ Москва) состоится II-я Международная научно-практическая конференция «Наноявления при разработке месторождений углеводородного сырья: от наноминералогии и нанохимии к нанотехнологиям»

читать полностью читать полностью

13-я научная молодежная школа по твердотельной электронике "Физика и технология микро- и наносистем"


пройдет с 19 по 22 ноября 2010 г. Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" совместно с Физико-техническим институтом имени А.Ф. Иоффе

читать полностью читать полностью

III молодежная конференция «Физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов»


состоится в рамках XXII Симпозиума “Современная химическая физика”, который будет проходить с 24 сентября по 5 октября 2010 г. в пансионате “Маяк “, г. Туапсе.

читать полностью читать полностью

НАНОИНЖЕНЕРИЯ – 2010


С 13 по 15 октября 2010 года в г. Калуге пройдет третья всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых ученых

читать полностью читать полностью

Форум RUSNANOTECH 2010


1-3 ноября 2010 года в Москве, на территории Экспоцентра, пройдет III Международный форум по нанотехнологиям

читать полностью читать полностью

VII-я Международная научно-практическая конференция


состоится 1-3 декабря 2010 года в г. Фрязино Московской области

читать полностью читать полностью

«НАНОБИО-ПАРК-2010» ЭЛЕКТРОННАЯ НАУЧНАЯ СТУДЕНЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ


Прием тезисов продлен до 10 сентября! Приглашаем вас принять участие в первой электронной научной студенческой конференции «НАНОБИО-ПАРК – 2010». Расскажите стране о своих исследованиях, наработках и полученных результатах в области нанобиотехнологий. 15 сентября лучшие доклады, отобранные программным комитетом, будут представлены на конференции. Долой бумагу – программа и тезисы будут опубликованы сразу в электронном виде, онлайн

читать полностью читать полностью


Реклама

Украинский сайт нанотехнологий

Новости и События

Все новости

08.07.2010   Создан наномеханический резонатор

Ученые из Физического института им. П. Н. Лебедева РАН (ФИАН) в сотрудничестве с японскими и китайскими коллегами создали сверхчувствительный преобразователь механических колебаний в электрические. В качестве детектора малых амплитуд наномеханического резонатора ученые использовали одноэлектронный транзистор. Созданное на его основе и уже работающее устройство — квантовая система, имеющая механическую степень свободы — представляет собой принципиально новый класс приборов.

Сконструировано работающее устройство, преобразующее механические колебания наноразмерной системы в электрические. Над созданием прибора вместе с российскими специалистами работали сотрудники лаборатории наноэлектроники корпорации NEC (Япония), Института передовых технологий РИКЕН (Япония), Института микроэлектроники Университета Цинхуа (Китай).

Преобразователем колебаний в электрический сигнал послужил одноэлектронный транзистор. Этот прибор способен чувствовать самые малые изменения электрического заряда на нем — вплоть до элементарного заряда электрона. Одноэлектронный транзистор состоит из островка, на который попадает электрон, и соединенных с островком туннельными переходами двух контактов. Один из них — исток, с которого на островок может переходить единичный электрон, другой — сток, через него электрон уходит. Устройство снабжено так называемым боковым затвором — источником напряжения, запирающим или открывающим электрону переходы исток-остров-сток. Вся конструкция выполнена на подложке из полупроводника, чаще всего кремния. При низких температурах его можно считать изолятором. Для регистрации отдельного электрона необходимо сделать островок достаточно маленьким (с малой емкостью), чтобы энергия, необходимая для перехода электрона на островок, была больше температуры системы.

В обычном одноэлектронном транзисторе эта конструкция лежит на полупроводниковой подложке и механической степенью свободы не обладает. Исследователи модифицировали способ изготовления устройства и смогли подвесить остров, буквально превратив его в мостик, опирающийся только на контакты (исток и сток), лежащие на полупроводниковой подложке. Типичная длина мостика составляет 500 нм, ширина и толщина — от 30 до 40 нм.

Для создания подобных конструкций применяется технология трехмерной литографии. Разработано несколько способов, позволяющих варьировать размеры и конфигурацию устройства, а, следовательно, и его свойства. Например, изменяя площадь контактов можно варьировать туннельные характеристики перехода. Методом вакуумного напыления алюминия формируется мостик (или же островок, материал под которым затем «выбирается»). В результате окисления кислородом он покрывается тончайшей оксидной пленкой. Исток и сток напыляются на эту пленку. Такой контакт обеспечивает слабую связь и создает условия туннельного перехода. Но «подвешиванием» мостика изменение в конструкции одноэлектронного транзистора не ограничивается.

Говорит один из разработчиков устройства, научный сотрудник ФИАНа кандидат физ.-мат. наук Дмитрий Князев: «Мы модифицировали метод изготовления прибора, сделав существенное дополнение: кроме обычного бокового затвора, расположенного в одном слое с транзистором, используется еще один, нижний затвор, помещенный под мостик и отделенный от него вакуумным зазором. Такая конфигурация в несколько раз увеличивает емкость связи, повышая чувствительность транзистора к механическим смещениям». Теперь это устройство можно использовать в качестве детектора механических колебаний.

Оригинальность идеи состоит в том, что наномеханическим резонатором, колебания которого детектирует одноэлектронный транзистор, стал служить структурный элемент самого транзистора.

Подвешенный островок одноэлектронного транзистора, ставший мостиком, обладает механической степенью свободы, имеет собственную частоту колебаний и служит «струной» или «камертоном» резонатора. То есть прибор этот — одновременно и резонатор, и преобразователь механических колебаний в электрические.

Нижний затвор и мостик фактически представляют собой две обкладки конденсатора. Если приложить напряжение, возникнет притяжение или отталкивание, мостик будет прогнут или выгнут. За счет изменения геометрии и расстояний между обкладками меняется и емкость системы. Приложенное к нижнему затвору переменное напряжение заставит систему колебаться и вызовет изменение наведенного электрического заряда на мостике. А это — полезный сигнал, связанный с механическими колебаниями. Таким образом, подача переменного напряжения на нижний затвор дает возможность определять резонансную частоту.

Так как заряд на мостике меняется, изменяется и ток, текущий через одноэлектронный транзистор. Резонанс определяется по характеру зависимости измеряемого тока от частоты переменного сигнала. «Мы измеряем ток в зависимости от напряжения на боковом затворе и параллельно прикладываем переменное напряжение к нижнему. И медленно изменяем частоту. Система всегда колеблется, но колеблется на разной частоте. Вдали от резонанса мы видим просто отклик системы на вынуждающую колебательную силу. А когда частота вынужденных колебаний подходит к резонансу, на зависимости тока от частоты возникает характерная особенность», — говорит Дмитрий Князев. В этом случае даже самое слабое воздействие на систему будет заметно. Если масса мостика изменится, например, при попадании на него одной молекулы, — резонансная частота тоже резко изменится.

Разработка открывает абсолютно новый класс приборов, возможности которых могут быть использованы как в фундаментальных исследованиях, так и в области нанотехнологий. Устройство применимо в экспериментах, связанных с квантовыми измерениями, в электрометрии, метрологии. Сверхчувствительный масс-детектор, детектор отдельных молекул — уже работающий прибор.

Комментирует заведующий отделом Высокотемпературной сверхпроводимости и наноструктур ФИАН доктор физ.-мат. наук Владимир Пудалов: «Есть так называемые нулевые колебания. Они присущи каждой квантовой частице. При нулевой температуре у нее есть ненулевая энергия, это известный эффект. Обычно нулевые колебания наблюдают на ансамбле из огромного числа частиц — макрообъект, мезообъект. Интересно увидеть их на одной частице... Возможно, шаг к этому сделан. Ведь прибор, сам камертон, представляет собой квантовую систему, в которой существуют нулевые колебания. Конечно, это новый класс устройств, обладающих совершенно специфическими свойствами. Это начало целой большой области в технике сверхмалых измерений и изучении квантовых эффектов».

По материалам АНИ «ФИАН-информ»



обсудить публикацию

версия для печати



Российские нанотехнологии 120х240 - номер бесплатно
Интервью

Абитуриенты выбирают нано


Самый большой конкурс – десять человек на место – в Уфимском авиационном техническом университете в этом году был на специальность «нанотехнологии». Об особенностях подготовки кадров в этой области STRF.ru рассказали профессора вуза – Руслан Валиев и Игорь Александров

читать полностью читать полностью




Acta Naturae



© ООО «Парк-медиа», 2007-2008

Разработка - Metric

Все права защищены
Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100